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Titulos:
MOSFET: theory and design / R. M. Warner, B. L. Grung
Idiomas:
eng
ISBN:
0195116429
Lugar de Edición:
New York:
Editor:
Oxford University Press,
Fecha de Edición:
c1999
Notas Formateada:
Chapter 1: Basic MOSFET theory -- Chapter 2: MOS-capacitor phenomena -- Chapter 3: MOS-capacitor modeling -- Chapter 4: Improved MOSFET theory -- Chapter 5: SPICE models -- Chapter 6: MOSFET-BJT performance comparisons
Palabras clave:
TRANSISTORES; SEMICONDUCTORES; MICROELECTRONICA

Leader:
cam
Campo 003:
AR-BaIT
Campo 008:
270401t1999t xxu|||||||||||||||||eng||
Campo 020:
^a0195116429
Campo 040:
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Campo 100:
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Campo 245:
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Campo 246:
Campo 260:
^aNew York:^bOxford University Press,^cc1999
Campo 300:
^aix, 256 p.
Campo 505:
0 ^aChapter 1: Basic MOSFET theory -- Chapter 2: MOS-capacitor phenomena -- Chapter 3: MOS-capacitor modeling -- Chapter 4: Improved MOSFET theory -- Chapter 5: SPICE models -- Chapter 6: MOSFET-BJT performance comparisons
Campo 650:
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Campo 650:
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Campo 700:
1 ^97454^aGrung, B. L.
Proveniencia:
^aInstituto Tecnológico Buenos Aires (ITBA) - Biblioteca
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Institucion:
Instituto Tecnológico Buenos Aires (ITBA)
Dependencia:
Biblioteca

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