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Titulos:
Modellierung sperrschichtisolierter diskreter Feldeffekttransistoren zur Schaltungssimulation mit Berücksichtigung der Hochfrequenz-, Temperatur-und Grosssignaleigenschaften.
Idiomas:
de
Lugar de Edición:
Berlin :
Editor:
HMI,
Fecha de Edición:
1994.
Notas #:
Bibliografía: p. 121-126
Palabras clave:
Leader:
nam
Campo 003:
AR-SmCIES
Campo 008:
170703s1994####gw a|||f#|||||00| 0#ger#d
Campo 041:
7^ade ^2ISO 639-1
Campo 100:
1 ^aWeber, Stefan
Campo 245:
10^aModellierung sperrschichtisolierter diskreter Feldeffekttransistoren zur Schaltungssimulation mit Berücksichtigung der Hochfrequenz-, Temperatur-und Grosssignaleigenschaften.
Campo 246:
Campo 260:
^aBerlin :^bHMI,^c1994.
Campo 300:
^a150 p. :^bil.
Campo 500:
^aBibliografía: p. 121-126
Campo 710:
2 ^aHahn-Meitner-Institut Berlin Gmb^pDE
Proveniencia:
^aComisión Nacional de Energía Atómica CNEA - Sistema de Bibliotecas
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Institucion:
Comision Nacional de Energia Atomica (CNEA)
Dependencia:
Sistema de Bibliotecas

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